L’une des principales différences entre la polarisation directe et la polarisation inverse est que, dans la polarisation directe, la borne positive de la batterie est connectée au matériau semi-conducteur de type p et la borne négative est connectée au matériau semi-conducteur de type n. Alors qu’en polarisation inverse, le matériau de type n est connecté à la borne positive de l’alimentation et le matériau de type p est connecté à la borne négative de la batterie. La polarisation directe et la polarisation inverse sont différenciées ci-dessous dans le tableau de comparaison.
La polarisation signifie que l’alimentation électrique ou la différence de potentiel est connectée au dispositif semi-conducteur. La différence de potentiel est de deux types à savoir – la polarisation avant et la polarisation inverse.
La polarisation avant réduit la barrière de potentiel de la diode et établit le chemin facile pour le flux de courant. Alors que dans la polarisation inverse, la différence de potentiel augmente la force de la barrière qui empêche le porteur de charge de se déplacer à travers la jonction. La polarisation inverse fournit le chemin hautement résistif au flux de courant, et donc aucun courant ne circule dans le circuit.
Contenu : Polarisation directe Vs polarisation inverse
- Tableau de comparaison
- Définition
- Différences clés
Tableau de comparaison
| Base de comparaison. de comparaison | Polarisation vers l’avant | Polarisation vers l’arrière |
|---|---|---|
| Définition | La tension externe qui est appliquée à travers la diode PN-diode pour réduire la barrière de potentiel pour constituer la circulation facile du courant à travers elle est appelée polarisation directe. | La tension externe qui est appliquée à la jonction PN pour renforcer la barrière de potentiel et empêcher le passage du courant à travers elle est appelée polarisation inverse. |
| Symbole |  |
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| Connexion | La borne positive de la batterie est connectée au semi-conducteur de type P-.type du dispositif et la borne négative est connectée au semi-conducteur de type N | La borne négative de la batterie est connectée à la région P et la borne positive de la batterie est connectée au semi-conducteur de type N. |
| Potentiel de barrière | Réduit | Renforcé |
| Tension | La tension d’une anode est supérieure à celle de la cathode. | La tension de la cathode est supérieure à celle de l’anode. |
| Courant de fuite | Grand | Petit |
| Couche d’appauvrissement | Mince | Épais |
| Résistance. | Faible | Élevée |
| Flux de courant | Autorise | Prévient |
| Magnitude du courant | Dépend de la tension directe. | Zéro |
| Fonctionne | Conducteur | Insolant |
Définition de la polarisation directe
Dans la polarisation directe, la tension externe est appliquée aux bornes de la diode à jonction PN. Cette tension annule la barrière de potentiel et fournit le chemin de faible résistance au flux de courant. La polarisation en avant signifie que la région positive est connectée à la borne p de l’alimentation et que la région négative est connectée au type n du dispositif.
La tension de barrière de potentiel est très faible (près de 0,7 V pour le silicium et 0,3 V pour la jonction au germanium) donc très peu de quantité de tension est nécessaire pour l’élimination complète de la barrière. L’élimination complète de la barrière constitue un chemin de faible résistance pour le flux de courant. Ainsi, le courant commence à circuler à travers la jonction. Ce courant est appelé courant direct.
Définition de la polarisation inverse
En polarisation inverse, la région négative est connectée à la borne positive de la batterie et la région positive est connectée à la borne négative. Le potentiel inverse augmente la force de la barrière de potentiel. La barrière de potentiel résiste à l’écoulement du porteur de charge à travers la jonction. Elle crée un chemin à haute résistance dans lequel aucun courant ne circule dans le circuit.
Principales différences entre la polarisation directe et la polarisation inverse
- La polarisation directe réduit la force de la barrière de potentiel en raison de laquelle le courant se déplace facilement à travers la jonction alors que la polarisation inverse renforce la barrière de potentiel et obstrue le flux du porteur de charge.
- En polarisation directe, la borne positive de la batterie est connectée à la région p et la borne négative est connectée au matériau de type n tandis qu’en polarisation inverse, la borne positive de l’alimentation est connectée au matériau de type n- et la borne négative est connectée au matériau de type p du dispositif.
- La polarisation directe met en place le champ électrique à travers le potentiel qui réduit la force de la barrière de potentiel alors que la polarisation inverse augmente la force de la barrière de potentiel.
- Note -La barrière de potentiel est la couche entre la diode à jonction PN qui restreint le mouvement des électrons à travers la jonction.
- En polarisation directe la tension de l’anode est plus grande que la cathode alors qu’en polarisation inverse la tension de la cathode est plus grande que l’anode.
- La polarisation directe a un courant direct important alors que la polarisation inverse a un courant direct très faible.
- Note – Le courant dans la diode lorsqu’il circule dans le sens direct est appelé courant direct.
- La couche de déplétion de la diode est très mince en polarisation directe et épaisse en polarisation inverse.
- Note – La couche de déplétion est la région autour de la jonction dans laquelle les porteurs de charges libres sont appauvris.
- La polarisation en sens direct diminue la résistance de la diode alors que la polarisation en sens inverse augmente la résistance de la diode.
- En polarisation directe le courant circule facilement dans le circuit alors que la polarisation inverse ne permet pas au courant de le traverser.
- En polarisation directe l’amplitude du courant dépend de la tension directe alors qu’en polarisation inverse l’amplitude du courant est très faible ou négligeable.
- En polarisation directe, le dispositif fonctionne comme un conducteur alors qu’en polarisation inverse, le dispositif agit comme un isolant.
La tension directe de la diode au silicium est de 0,7 volt, et la tension directe du germanium est de 0,3 volt.
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